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吉時(shí)利源表Keithley2450

吉時(shí)利源表Keithley2450

產(chǎn)品型號:

所屬分類:微弱信號處理器

更新時(shí)間:2024-09-09

簡要描述:吉時(shí)利源表Keithley2450 數(shù)字源表器是一款精密的低噪聲儀器,其中組合了穩(wěn)定的直流電源、電流源、電子負(fù)載和高阻抗萬用表。具有直觀的設(shè)置和控制、增強(qiáng)的信號質(zhì)量和擴(kuò)大的量程,優(yōu)于市場上同類產(chǎn)品的電阻率和電阻功能。在 6½ 位分辨率和 0.012% 的基本精度下,2450 型號可以通過 IEEE-488 總線提供每秒 59 個(gè)讀數(shù)。在 4½ 位分辨率下,每秒可向其內(nèi)部緩沖器讀入多達(dá) 3000 個(gè)

詳細(xì)說明:

吉時(shí)利源表Keithley2450型觸摸屏數(shù)字源表是吉時(shí)利新一代數(shù)字源表(SMU)儀器,它真正把歐姆定律(電流、電壓和電阻)測試帶到你的指尖。其創(chuàng)新的圖表化用戶界面(GUI)和先進(jìn)的電容觸摸屏技術(shù),實(shí)現(xiàn)了直觀使用和學(xué)習(xí)曲線簡便化,支持工程師和科學(xué)家掌握更迅速、工作更便捷、發(fā)明更簡單。2450是適用于各行各業(yè)使用者的源測量單元(SMU):這種多用途儀器特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。這些特性加上吉時(shí)利源測量單元(SMU)的精度和準(zhǔn)確度,允許用戶觸摸、測試和發(fā)明,無論現(xiàn)在和未來,都將成為您實(shí)驗(yàn)室中愛不釋手的儀器。

   吉時(shí)利源表Keithley2450 數(shù)字源表器是一款精密的低噪聲儀器,其中組合了穩(wěn)定的直流電源、電流源、電子負(fù)載和高阻抗萬用表。該儀器具有直觀的設(shè)置和控制、增強(qiáng)的信號質(zhì)量和擴(kuò)大的量程,以及優(yōu)于市場上同類產(chǎn)品的電阻率和電阻功能。在 6? 位分辨率和 0.012% 的基本精度下,2450 型號可以通過 IEEE-488 總線提供每秒 59 個(gè)讀數(shù)。在 4? 位分辨率下,每秒可向其內(nèi)部緩沖器讀入多達(dá) 3000 個(gè)讀數(shù)

 本應(yīng)用示例演示如何使用 2450 SourceMeter® 儀器測量太陽能電池的 I-V 特性。 根據(jù) 2450 測量的 I-V 特性,可以確定有關(guān)太陽能電池的重要參數(shù),包括: • 最大電流 (IMAX) 和電壓 (VMAX) • 最大功率 (PMAX) • 開路電壓 (VOC) • 短路電流 (ISC) 因?yàn)?2450 具有四象限源功能,其可以接收高達(dá) 1 A 的電池電流作為施加電壓的函數(shù)。

下圖顯示了前面板連接。您可以使用四根絕緣香蕉電纜進(jìn)行這些連接


下圖顯示了后面板連接。您可以使用四根三軸電纜進(jìn)行這些連接。



  吉時(shí)利源表KEITHLEY2450主要優(yōu)勢:

  具備分析儀、曲線追蹤儀和I-V

  系統(tǒng)功能,成本更低

  5英寸高分辨率電容觸摸屏圖形用戶界面(GUI)

  基本測量準(zhǔn)確度0.012%,分辨率6?數(shù)位

  靈敏度更高,新增源/測量量程:20mV和10nA

  源和阱(4象限)操作

  4種“Quickset"模式,用于快速設(shè)置

  和測量

  內(nèi)建上下文相關(guān)的前面板幫助

  前面板輸入香蕉頭輸入;后面板三同軸輸入連接

  2450 SCPI和TSP®腳本編程模式

  2400型SCPI兼容編程模式

  前面板USB端口,用于數(shù)據(jù)/編程/配置I/O

  典型應(yīng)用:

  非常適合當(dāng)今多種現(xiàn)代化電子器件的電流/電壓特性分析和功能測試,包括:

  納米材料與器件測試,如石墨烯、碳納米管、納米線、低功耗納米結(jié)構(gòu)測試

  半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)測試,如晶圓、薄膜測試

  有機(jī)材料與器件測試,如電子墨水,印刷電子技術(shù)測試

  能量效率與照明測試,LED/AMOLED,光伏/太陽電池、電池測試

  分立器件與無源組件測試,如雙引線:電阻器、二極管、齊納、LED、磁盤驅(qū)動器磁頭

  光驅(qū)、傳感器;三引線:小信號雙極節(jié)型晶體管,(BJT)、場效應(yīng)晶體管(FET)等等

  材料特性分析,如電阻率,霍爾效應(yīng)測試等。



     




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